D9N50-VB
IC
TO-252
可供量大可议
D9N50-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型功率场效应晶体管， 采用SJ_Multi-EPI技术， 具有优异的热稳定性和可靠性。 适用于高压应用场景， 中等功率需求。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 7A； RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
D9N50-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
D9N50-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型功率场效应晶体管， 采用SJ_Multi-EPI技术， 具有优异的热稳定性和可靠性。 适用于高压应用场景， 中等功率需求。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 7A； RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
D9N50-VB特性
暂无产品特性。
D9N50-VB应用领域
暂无应用领域。