D8V0L1B2LPQ-7B
IC
DFN1006-2
可供量大可议
D8V0L1B2LPQ-7B
瞬态抑制二极管(TVS) D8V0L1B2LPQ-7B
品牌
DIODES
封装
DFN1006-2
库存
22,080
货期
现货
D8V0L1B2LPQ-7B参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 两年内 |
| 极性 | 单向 |
| 钳位电压 | 17V |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 68W@8/20us |
| 反向电流(Ir) | 100nA |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 |
| Cj-结电容 | 8.5pF |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 22,080 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 反向截止电压(Vrwm) | 8V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A@8/20us |
| 击穿电压(VBR) | 8.5V |
| 通道数 | 单路 |
| 类型 | TVS |
D8V0L1B2LPQ-7B概述
瞬态抑制二极管(TVS) D8V0L1B2LPQ-7B
D8V0L1B2LPQ-7B特性
暂无产品特性。
D8V0L1B2LPQ-7B应用领域
暂无应用领域。