D5V0S1US2LP-7B
IC
UDFN1006-2
可供量大可议
D5V0S1US2LP-7B
薄型封装（典型值0.50 mm）和超小PCB占位面积（最大1.3 mm x 0.55 mm）， 适用于紧凑型便携式电子产品 符合IEC 61000 4 2标准的ESD保护：空气放电±30 kV， 接触放电±30 kV 符合IEC 61000 4 5标准的浪涌和雷击保护：IPP最大值60A 单通道ESD和浪涌保护 完全无铅， 完全符合RoHS标准 无卤素和锑， “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
UDFN1006-2
库存
5
货期
现货
D5V0S1US2LP-7B参数
| 封装 | UDFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
D5V0S1US2LP-7B概述
薄型封装（典型值0.50 mm）和超小PCB占位面积（最大1.3 mm x 0.55 mm）， 适用于紧凑型便携式电子产品 符合IEC 61000 4 2标准的ESD保护：空气放电±30 kV， 接触放电±30 kV 符合IEC 61000 4 5标准的浪涌和雷击保护：IPP最大值60A 单通道ESD和浪涌保护 完全无铅， 完全符合RoHS标准 无卤素和锑， “绿色”器件
D5V0S1US2LP-7B特性
暂无产品特性。
D5V0S1US2LP-7B应用领域
暂无应用领域。