D5V0L1B2T-N
IC
SOD-523
可供量大可议
D5V0L1B2T-N
特性：90W 峰值脉冲功率 (tp = 6/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±25kV 接触， ±25kV 空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
品牌
BORN
封装
SOD-523
库存
980
货期
现货
D5V0L1B2T-N参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 980 |
D5V0L1B2T-N概述
特性：90W 峰值脉冲功率 (tp = 6/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±25kV 接触， ±25kV 空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
D5V0L1B2T-N特性
暂无产品特性。
D5V0L1B2T-N应用领域
暂无应用领域。