D5V0L1B2LP-7B-HXY
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
D5V0L1B2LP-7B-HXY
此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)专为电子设备设计, 提供有效防护。 其最大持续工作电压(VRWM)为5V, 确保在常规电压环境下稳定运行。 该器件能承受最高6A的峰值脉冲电流(IPP), 在遇到瞬时过压情况时迅速响应, 保护电路免受潜在损害。 15pF的小结电容(CJ)有助于保持信号完整性, 适合高速数据传输线路。 作为单通道双向(Bi-directional)保护元件, 它能够对两个方向的瞬态电压进行箝位, 适用于各类需要可靠保护的接口, 如通信端口和个人电子产品中的敏感组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
500
货期
现货
D5V0L1B2LP-7B-HXY参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 500 |
D5V0L1B2LP-7B-HXY概述
此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)专为电子设备设计, 提供有效防护。 其最大持续工作电压(VRWM)为5V, 确保在常规电压环境下稳定运行。 该器件能承受最高6A的峰值脉冲电流(IPP), 在遇到瞬时过压情况时迅速响应, 保护电路免受潜在损害。 15pF的小结电容(CJ)有助于保持信号完整性, 适合高速数据传输线路。 作为单通道双向(Bi-directional)保护元件, 它能够对两个方向的瞬态电压进行箝位, 适用于各类需要可靠保护的接口, 如通信端口和个人电子产品中的敏感组件。
D5V0L1B2LP-7B-HXY特性
暂无产品特性。
D5V0L1B2LP-7B-HXY应用领域
暂无应用领域。
