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D5V0L1B2LP-7B-HXY
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

D5V0L1B2LP-7B-HXY

此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)专为电子设备设计, 提供有效防护。 其最大持续工作电压(VRWM)为5V, 确保在常规电压环境下稳定运行。 该器件能承受最高6A的峰值脉冲电流(IPP), 在遇到瞬时过压情况时迅速响应, 保护电路免受潜在损害。 15pF的小结电容(CJ)有助于保持信号完整性, 适合高速数据传输线路。 作为单通道双向(Bi-directional)保护元件, 它能够对两个方向的瞬态电压进行箝位, 适用于各类需要可靠保护的接口, 如通信端口和个人电子产品中的敏感组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

500

货期

现货

D5V0L1B2LP-7B-HXY参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存500

D5V0L1B2LP-7B-HXY概述

此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)专为电子设备设计, 提供有效防护。 其最大持续工作电压(VRWM)为5V, 确保在常规电压环境下稳定运行。 该器件能承受最高6A的峰值脉冲电流(IPP), 在遇到瞬时过压情况时迅速响应, 保护电路免受潜在损害。 15pF的小结电容(CJ)有助于保持信号完整性, 适合高速数据传输线路。 作为单通道双向(Bi-directional)保护元件, 它能够对两个方向的瞬态电压进行箝位, 适用于各类需要可靠保护的接口, 如通信端口和个人电子产品中的敏感组件。

D5V0L1B2LP-7B-HXY特性

暂无产品特性。

D5V0L1B2LP-7B-HXY应用领域

暂无应用领域。

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