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D4NK60Z-VB TO251
IC

TO-251

可供量大可议

D4NK60Z-VB TO251

TO251; N—Channel沟道, 650V; 4A; RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V, VGS=±30V; Vth=3.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-251

库存

20

货期

现货

D4NK60Z-VB TO251参数

封装TO-251
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存20

D4NK60Z-VB TO251概述

TO251; N—Channel沟道, 650V; 4A; RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V, VGS=±30V; Vth=3.5V

D4NK60Z-VB TO251特性

暂无产品特性。

D4NK60Z-VB TO251应用领域

暂无应用领域。

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