D3V3F4U10LP-7-HXY
IC
DFN2510-10
可供量大可议
D3V3F4U10LP-7-HXY
此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD), 适用于各类电子设备中的过电压保护。 其最大脉冲峰值电流IPP为4A, 能有效抵御瞬时高能量冲击。 反向工作电压VRWM为3.3V, 确保在低电压应用场景下的稳定性与可靠性。 结电容CJ低至0.6皮法(pF), 几乎不影响信号完整性, 非常适合高速线路的保护需求。 该产品设计有4个通道, 可同时保护多条线路免受静电放电和瞬态电压的损害。 作为单向(Uni-directional)保护元件, 它仅在正向过电压情况下导通, 提供精准的保护机制, 确保连接设备的安全运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN2510-10
库存
20
货期
现货
D3V3F4U10LP-7-HXY参数
| 封装 | DFN2510-10 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
D3V3F4U10LP-7-HXY概述
此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD), 适用于各类电子设备中的过电压保护。 其最大脉冲峰值电流IPP为4A, 能有效抵御瞬时高能量冲击。 反向工作电压VRWM为3.3V, 确保在低电压应用场景下的稳定性与可靠性。 结电容CJ低至0.6皮法(pF), 几乎不影响信号完整性, 非常适合高速线路的保护需求。 该产品设计有4个通道, 可同时保护多条线路免受静电放电和瞬态电压的损害。 作为单向(Uni-directional)保护元件, 它仅在正向过电压情况下导通, 提供精准的保护机制, 确保连接设备的安全运行。
D3V3F4U10LP-7-HXY特性
暂无产品特性。
D3V3F4U10LP-7-HXY应用领域
暂无应用领域。
