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D3V3F4U10LP-7-HXY
IC

DFN2510-10

可供量大可议

D3V3F4U10LP-7-HXY

此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD), 适用于各类电子设备中的过电压保护。 其最大脉冲峰值电流IPP为4A, 能有效抵御瞬时高能量冲击。 反向工作电压VRWM为3.3V, 确保在低电压应用场景下的稳定性与可靠性。 结电容CJ低至0.6皮法(pF), 几乎不影响信号完整性, 非常适合高速线路的保护需求。 该产品设计有4个通道, 可同时保护多条线路免受静电放电和瞬态电压的损害。 作为单向(Uni-directional)保护元件, 它仅在正向过电压情况下导通, 提供精准的保护机制, 确保连接设备的安全运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN2510-10

库存

20

货期

现货

D3V3F4U10LP-7-HXY参数

封装DFN2510-10
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存20

D3V3F4U10LP-7-HXY概述

此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD), 适用于各类电子设备中的过电压保护。 其最大脉冲峰值电流IPP为4A, 能有效抵御瞬时高能量冲击。 反向工作电压VRWM为3.3V, 确保在低电压应用场景下的稳定性与可靠性。 结电容CJ低至0.6皮法(pF), 几乎不影响信号完整性, 非常适合高速线路的保护需求。 该产品设计有4个通道, 可同时保护多条线路免受静电放电和瞬态电压的损害。 作为单向(Uni-directional)保护元件, 它仅在正向过电压情况下导通, 提供精准的保护机制, 确保连接设备的安全运行。

D3V3F4U10LP-7-HXY特性

暂无产品特性。

D3V3F4U10LP-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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