D3R6N30
IC
TO-252W
可供量大可议
D3R6N30
D3R6N30是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。 先进的技术和单元结构使该产品具有低导通电阻、出色的开关性能和高雪崩击穿电压。 该产品广泛应用于不间断电源和逆变系统的电源管理领域。
品牌
晶导微电子
封装
TO-252W
库存
2,290
货期
现货
D3R6N30参数
| 封装 | TO-252W |
|---|---|
| 品牌 | 晶导微电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2290 |
D3R6N30概述
D3R6N30是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。 先进的技术和单元结构使该产品具有低导通电阻、出色的开关性能和高雪崩击穿电压。 该产品广泛应用于不间断电源和逆变系统的电源管理领域。
D3R6N30特性
暂无产品特性。
D3R6N30应用领域
暂无应用领域。
