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D3R6N30
IC

TO-252W

可供量大可议

D3R6N30

D3R6N30是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。 先进的技术和单元结构使该产品具有低导通电阻、出色的开关性能和高雪崩击穿电压。 该产品广泛应用于不间断电源和逆变系统的电源管理领域。

品牌

晶导微电子

封装

TO-252W

库存

2,290

货期

现货

D3R6N30参数

封装TO-252W
品牌晶导微电子
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2290

D3R6N30概述

D3R6N30是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。 先进的技术和单元结构使该产品具有低导通电阻、出色的开关性能和高雪崩击穿电压。 该产品广泛应用于不间断电源和逆变系统的电源管理领域。

D3R6N30特性

暂无产品特性。

D3R6N30应用领域

暂无应用领域。

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