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D24V0L1B2LPS-7B-HXY
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

D24V0L1B2LPS-7B-HXY

这款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备3A的峰值脉冲电流承载能力(IPP), 能够在瞬时过压事件中提供有效的电路保护。 其最大持续工作电压(VRWM)为24V, 确保在标准电压范围内维持高阻抗特性而不导通。 该器件拥有8pF的小结电容(CJ), 有助于最小化对信号完整性和传输速度的影响, 特别适合高速数据线路。 作为单通道双向(Bi-directional)保护元件, 它可以在正反两个方向上对瞬态电压进行快速箝位, 适用于各种电子设备中的敏感接口, 如通信端口和个人科技产品, 为连接器和其他关键组件提供稳健的保护。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

160

货期

现货

D24V0L1B2LPS-7B-HXY参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存160

D24V0L1B2LPS-7B-HXY概述

这款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备3A的峰值脉冲电流承载能力(IPP), 能够在瞬时过压事件中提供有效的电路保护。 其最大持续工作电压(VRWM)为24V, 确保在标准电压范围内维持高阻抗特性而不导通。 该器件拥有8pF的小结电容(CJ), 有助于最小化对信号完整性和传输速度的影响, 特别适合高速数据线路。 作为单通道双向(Bi-directional)保护元件, 它可以在正反两个方向上对瞬态电压进行快速箝位, 适用于各种电子设备中的敏感接口, 如通信端口和个人科技产品, 为连接器和其他关键组件提供稳健的保护。

D24V0L1B2LPS-7B-HXY特性

暂无产品特性。

D24V0L1B2LPS-7B-HXY应用领域

暂无应用领域。

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