D24V0L1B2LP-7B-HXY
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
D24V0L1B2LP-7B-HXY
此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)设计用于提供精准的电路保护, 具备3A的峰值脉冲电流承载能力IPP, 确保在瞬时电流冲击下仍能维持电路安全。 其额定工作电压VRWM为24V, 适用于需要较高电压防护的应用。 该器件的电容CJ仅为8皮法, 对信号的影响极小, 非常适合高速或高频线路中使用。 作为1通道Bi双向类型的保护元件, 它可以在两个方向上提供一致的保护性能, 适用于各种需要双向保护的电子接口, 保障数据传输的安全性和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
660
货期
现货
D24V0L1B2LP-7B-HXY参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 660 |
D24V0L1B2LP-7B-HXY概述
此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)设计用于提供精准的电路保护, 具备3A的峰值脉冲电流承载能力IPP, 确保在瞬时电流冲击下仍能维持电路安全。 其额定工作电压VRWM为24V, 适用于需要较高电压防护的应用。 该器件的电容CJ仅为8皮法, 对信号的影响极小, 非常适合高速或高频线路中使用。 作为1通道Bi双向类型的保护元件, 它可以在两个方向上提供一致的保护性能, 适用于各种需要双向保护的电子接口, 保障数据传输的安全性和可靠性。
D24V0L1B2LP-7B-HXY特性
暂无产品特性。
D24V0L1B2LP-7B-HXY应用领域
暂无应用领域。
