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D24V0L1B2LP-7B-HXY
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

D24V0L1B2LP-7B-HXY

此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)设计用于提供精准的电路保护, 具备3A的峰值脉冲电流承载能力IPP, 确保在瞬时电流冲击下仍能维持电路安全。 其额定工作电压VRWM为24V, 适用于需要较高电压防护的应用。 该器件的电容CJ仅为8皮法, 对信号的影响极小, 非常适合高速或高频线路中使用。 作为1通道Bi双向类型的保护元件, 它可以在两个方向上提供一致的保护性能, 适用于各种需要双向保护的电子接口, 保障数据传输的安全性和可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

660

货期

现货

D24V0L1B2LP-7B-HXY参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存660

D24V0L1B2LP-7B-HXY概述

此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)设计用于提供精准的电路保护, 具备3A的峰值脉冲电流承载能力IPP, 确保在瞬时电流冲击下仍能维持电路安全。 其额定工作电压VRWM为24V, 适用于需要较高电压防护的应用。 该器件的电容CJ仅为8皮法, 对信号的影响极小, 非常适合高速或高频线路中使用。 作为1通道Bi双向类型的保护元件, 它可以在两个方向上提供一致的保护性能, 适用于各种需要双向保护的电子接口, 保障数据传输的安全性和可靠性。

D24V0L1B2LP-7B-HXY特性

暂无产品特性。

D24V0L1B2LP-7B-HXY应用领域

暂无应用领域。

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