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D10PF06-VB
IC

TO-252-2

可供量大可议

D10PF06-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管, 采用Trench工艺, 其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。 TO252; P—Channel沟道, -60V; -30A; RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-3V

品牌

VBsemi

封装

TO-252-2

库存

118

货期

现货

D10PF06-VB参数

封装TO-252-2
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存118

D10PF06-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管, 采用Trench工艺, 其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。 TO252; P—Channel沟道, -60V; -30A; RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-3V

D10PF06-VB特性

暂无产品特性。

D10PF06-VB应用领域

暂无应用领域。

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