CY7C1061G30-10ZSXI
IC
TSOPII-54-10.2mm
可供量大可议
CY7C1061G30-10ZSXI
CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM， 具有嵌入式错误校正码(ECC)。 这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项， 支持多种封装。
品牌
Infineon/CYPRESS
封装
TSOPII-54-10.2mm
库存
5
货期
现货
CY7C1061G30-10ZSXI参数
| 封装 | TSOPII-54-10.2mm |
|---|---|
| 品牌 | Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
CY7C1061G30-10ZSXI概述
CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM， 具有嵌入式错误校正码(ECC)。 这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项， 支持多种封装。
CY7C1061G30-10ZSXI特性
暂无产品特性。
CY7C1061G30-10ZSXI应用领域
暂无应用领域。