CY7C1041GN30-10ZSXIT
IC
TSOPII-44-10.2mm
可供量大可议
CY7C1041GN30-10ZSXIT
CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器， 组织形式为 256K 字×16 位。 数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行， 同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据， 并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。 高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作
品牌
Infineon/CYPRESS
封装
TSOPII-44-10.2mm
库存
77
货期
现货
CY7C1041GN30-10ZSXIT参数
| 封装 | TSOPII-44-10.2mm |
|---|---|
| 品牌 | Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
|---|---|
| 库存 | 77 |
CY7C1041GN30-10ZSXIT概述
CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器， 组织形式为 256K 字×16 位。 数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行， 同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据， 并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。 高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作
CY7C1041GN30-10ZSXIT特性
暂无产品特性。
CY7C1041GN30-10ZSXIT应用领域
暂无应用领域。