CY62146ESL-45ZSXIT

是高性能CMOS静态RAM， 组织为256K字×16位。 该器件采用先进的电路设计， 可提供超低工作电流， 非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。 该器件还具有自动掉电功能， 当地址不切换时可降低功耗。 当器件被禁用（CE为高电平）时， 将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。 当器件被禁用（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写入操作期间（CE为低电平且WE为低电平）， 输入和输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻抗状态。 要写入器件， 将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平