CY15B204QN-40SXET
IC
SOIC-8
可供量大可议
CY15B204QN-40SXET
是一款低功耗、4-Mb非易失性存储器， 采用先进的铁电工艺。 铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的， 读写操作与RAM类似。 它可提供121年的可靠数据保留， 同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同， 该产品以总线速度执行写操作， 无写延迟。 每个字节成功传输到设备后， 数据立即写入存储阵列， 下一个总线周期无需数据轮询即可开始。 此外， 与其他非易失性存储器相比， 该产品具有更高的写入耐久性， 能够支持10¹³次读写循环， 比EEPROM多1000万次写入循环
品牌
Infineon
封装
SOIC-8
库存
3
货期
现货
CY15B204QN-40SXET参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 铁电存储器(FRAM) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
CY15B204QN-40SXET概述
是一款低功耗、4-Mb非易失性存储器， 采用先进的铁电工艺。 铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的， 读写操作与RAM类似。 它可提供121年的可靠数据保留， 同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同， 该产品以总线速度执行写操作， 无写延迟。 每个字节成功传输到设备后， 数据立即写入存储阵列， 下一个总线周期无需数据轮询即可开始。 此外， 与其他非易失性存储器相比， 该产品具有更高的写入耐久性， 能够支持10¹³次读写循环， 比EEPROM多1000万次写入循环
CY15B204QN-40SXET特性
暂无产品特性。
CY15B204QN-40SXET应用领域
暂无应用领域。