CY14B104LA-ZS25XI

是一种快速静态随机存取存储器(SRAM), 每个存储单元中都有一个非易失性元件。 存储器组织为512K个8位字节或256K个16位字。 嵌入式非易失性元件采用了QuantumTrap技术, 可产生可靠的非易失性存储器。 SRAM提供无限的读写周期, 而独立的非易失性数据驻留在高度可靠的QuantumTrap单元中。 数据在掉电时会自动从SRAM传输到非易失性元件(存储操作)。 上电时, 数据从非易失性存储器恢复到SRAM(恢复操作)。 存储和恢复操作也可在软件控制下进行。