CTLTVS5-4-HXY
IC
DFN2510-10L
可供量大可议
CTLTVS5-4-HXY
这款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)设计用于提供精准的电路保护, 具备3A峰值脉冲电流(IPP)承载能力, 在工作电压(VRWM)5V下确保稳定性能。 其极低的结电容(CJ)仅为0.3pF, 几乎不影响信号完整性, 适合高速数据线防护。 该器件采用4通道线路设计, 单向(Uni)类型适用于多种电子设备接口, 能够有效防止因静电放电和瞬态电压波动造成的损害, 保障设备运行的安全性和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN2510-10L
库存
5
货期
现货
CTLTVS5-4-HXY参数
| 封装 | DFN2510-10L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
CTLTVS5-4-HXY概述
这款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)设计用于提供精准的电路保护, 具备3A峰值脉冲电流(IPP)承载能力, 在工作电压(VRWM)5V下确保稳定性能。 其极低的结电容(CJ)仅为0.3pF, 几乎不影响信号完整性, 适合高速数据线防护。 该器件采用4通道线路设计, 单向(Uni)类型适用于多种电子设备接口, 能够有效防止因静电放电和瞬态电压波动造成的损害, 保障设备运行的安全性和可靠性。
CTLTVS5-4-HXY特性
暂无产品特性。
CTLTVS5-4-HXY应用领域
暂无应用领域。
