CSICD10-650 TR13-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置， 额定正向电流（IF）为10A， 最大反向重复电压（VR）达650V， 正向压降（VF）典型值为1.3V， 反向漏电流（IR）低至50μA， 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达80A， 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 器件利用碳化硅材料优势， 在高电压、高频率条件下仍能保持较低损耗与稳定运行， 适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。