CSD87502Q2T-VB
IC
DFN-6(2x2)
可供量大可议
CSD87502Q2T-VB
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 沟槽功率 MOSFET。 100% US 测试。 100% Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。 应用：便携式设备， 如智能手机、平板电脑和移动计算设备。 负载开关
品牌
VBsemi
封装
DFN-6(2x2)
库存
10
货期
现货
CSD87502Q2T-VB参数
| 封装 | DFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
CSD87502Q2T-VB概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 沟槽功率 MOSFET。 100% US 测试。 100% Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。 应用：便携式设备， 如智能手机、平板电脑和移动计算设备。 负载开关
CSD87502Q2T-VB特性
暂无产品特性。
CSD87502Q2T-VB应用领域
暂无应用领域。