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CSD87502Q2
IC

WSON-6(2x2)

可供量大可议

CSD87502Q2

CSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

品牌

TI

封装

WSON-6(2x2)

库存

445

货期

现货

CSD87502Q2参数

封装WSON-6(2x2)
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)2.3W
栅极电荷量(Qg)6nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
商品型号CSD87502Q2
单位个
商品重量4.2409e-05
分类场效应管(MOSFET)
库存445
数量2个N沟道
导通电阻(RDS(on))32.4mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)353pF
商品名称2个N沟道 耐压:30V 电流:5A
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

CSD87502Q2概述

CSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD87502Q2特性

暂无产品特性。

CSD87502Q2应用领域

暂无应用领域。

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