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CSD86336Q3DT
IC

VSON-8(3.3x3.3)

可供量大可议

CSD86336Q3DT

CSD86336Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块

Brand

TI

Package

VSON-8(3.3x3.3)

Stock

44

货期

现货

CSD86336Q3DTParameters

封装VSON-8(3.3x3.3)
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存44

CSD86336Q3DT概述

CSD86336Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块

CSD86336Q3DT特性

暂无产品特性。

CSD86336Q3DT应用领域

暂无应用领域。

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