CSD86330Q3D
IC
LSON-8(3.3x3.3)
可供量大可议
CSD86330Q3D
CSD86330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
品牌
TI
封装
LSON-8(3.3x3.3)
库存
197
货期
现货
CSD86330Q3D参数
| 封装 | LSON-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 197 |
CSD86330Q3D概述
CSD86330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
CSD86330Q3D特性
暂无产品特性。
CSD86330Q3D应用领域
暂无应用领域。