CSD85312Q3E
IC
VSON-8(3.3x3.3)
可供量大可议
CSD85312Q3E
CSD85312Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双通道共源极、14mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌
TI
封装
VSON-8(3.3x3.3)
库存
16
货期
现货
CSD85312Q3E参数
| 封装 | VSON-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16 |
CSD85312Q3E概述
CSD85312Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双通道共源极、14mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD85312Q3E特性
暂无产品特性。
CSD85312Q3E应用领域
暂无应用领域。