CSD85302L
IC
PicostAr-4(1.3x1.3)
可供量大可议
CSD85302L
CSD85302L 采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌
TI
封装
PicostAr-4(1.3x1.3)
库存
105
货期
现货
CSD85302L参数
| 封装 | PicostAr-4(1.3x1.3) |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 105 |
CSD85302L概述
CSD85302L 采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD85302L特性
暂无产品特性。
CSD85302L应用领域
暂无应用领域。