CSD25501F3
自营可供
IC
LGA-3(0.6x0.7)
CSD25501F3
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 3.6A 1个P沟道
品牌
TI
封装
LGA-3(0.6x0.7)
交期
现货
批次
两年内
CSD25501F3参数
| 封装 | LGA-3(0.6x0.7) |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 输入电容(Ciss) | 385pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 91pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6,886 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.02nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF |
| 类型 | P沟道 |
CSD25501F3概述
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 3.6A 1个P沟道