CSD25404Q3T-VB
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
CSD25404Q3T-VB
特性：沟槽功率MOSFET。 热增强型DFN3x3封装。 低导通电阻， 实现低压降。 符合RoHS标准。 无卤。 应用：便携式设备的负载开关。 功率放大器开关
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(3x3)
库存
90
货期
现货
CSD25404Q3T-VB参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
CSD25404Q3T-VB概述
特性：沟槽功率MOSFET。 热增强型DFN3x3封装。 低导通电阻， 实现低压降。 符合RoHS标准。 无卤。 应用：便携式设备的负载开关。 功率放大器开关
CSD25404Q3T-VB特性
暂无产品特性。
CSD25404Q3T-VB应用领域
暂无应用领域。