CSD25404Q3-VB
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
CSD25404Q3-VB
台积电流片， 长电科技封装； QFN8(3X3)； P—Channel沟道, -20V； -52A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=-0.8~-1.2V； 是一款采用Trench技术单P型MOSFET， 适用于电源管理领域、电机驱动和控制等领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(3x3)
库存
88
货期
现货
CSD25404Q3-VB参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 88 |
CSD25404Q3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； QFN8(3X3)； P—Channel沟道, -20V； -52A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=-0.8~-1.2V； 是一款采用Trench技术单P型MOSFET， 适用于电源管理领域、电机驱动和控制等领域和模块。
CSD25404Q3-VB特性
暂无产品特性。
CSD25404Q3-VB应用领域
暂无应用领域。