CSD25402Q3A-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
CSD25402Q3A-MS
此款CSD25402Q3A-MS场效应管采用1个P沟道设计， 采用 DFN3X3-8L精巧封装， 实现电路空间高效利用； 20V 额定电压（VDSS）搭配48A连续漏极电流（ID）， 彰显超强电流处理能力， 而 7.5mΩ 超低导通电阻（RD (on)）是其核心优势， 能显著提升系统能效、减小功率损耗。 器件广泛适配电源切换、电池保护等场景， 凭借卓越性能与紧凑封装设计， 成为高功率密度应用的理想半导体选择。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
410
货期
现货
CSD25402Q3A-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 410 |
CSD25402Q3A-MS概述
此款CSD25402Q3A-MS场效应管采用1个P沟道设计， 采用 DFN3X3-8L精巧封装， 实现电路空间高效利用； 20V 额定电压（VDSS）搭配48A连续漏极电流（ID）， 彰显超强电流处理能力， 而 7.5mΩ 超低导通电阻（RD (on)）是其核心优势， 能显著提升系统能效、减小功率损耗。 器件广泛适配电源切换、电池保护等场景， 凭借卓越性能与紧凑封装设计， 成为高功率密度应用的理想半导体选择。
CSD25402Q3A-MS特性
暂无产品特性。
CSD25402Q3A-MS应用领域
暂无应用领域。