CSD25402Q3A-HXY

CSD25402Q3A P沟道MOS管采用精巧DFN3X3-8L封装， 实现高效空间利用。 本器件具备20V的额定电压VDSS， 能够承受高达48A的连续漏极电流ID， 彰显出超强的电流处理能力。 其核心优势在于超低导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ， 显著提升系统能效， 减小功率损耗。 这款MOS管广泛适用于电源切换、电池保护等多种应用场景， 凭借卓越的性能表现与紧凑封装设计， CSD25402Q3A 成为了高功率密度应用的理想半导体选择。