CSD25211W1015
IC
DSBGA-6
可供量大可议
CSD25211W1015
CSD25211W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌
TI
封装
DSBGA-6
库存
485
货期
现货
CSD25211W1015参数
| 封装 | DSBGA-6 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 485 |
CSD25211W1015概述
CSD25211W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD25211W1015特性
暂无产品特性。
CSD25211W1015应用领域
暂无应用领域。