CSD19538Q3AT-VB
IC
DFN-8
可供量大可议
CSD19538Q3AT-VB
台积电流片， 长电封测。 DFN򑵼 (򬓹 X򬓹 )； 򘞟 个N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V； 򘞟 󗙻 A； RDS(ON)=󺺆 򏟋 mΩ@VGS=󗙻 򏟋 V, VGS=򘞟 򏟋 V； Vth=򘞟 񄂹 񤗸 V； 适用于便携式电子产品、LED照明、小型家电和医疗设备等多个领域， 为各种低功率模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8
库存
10
货期
现货
CSD19538Q3AT-VB参数
| 封装 | DFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
CSD19538Q3AT-VB概述
台积电流片， 长电封测。 DFN򑵼 (򬓹 X򬓹 )； 򘞟 个N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V； 򘞟 󗙻 A； RDS(ON)=󺺆 򏟋 mΩ@VGS=󗙻 򏟋 V, VGS=򘞟 򏟋 V； Vth=򘞟 񄂹 񤗸 V； 适用于便携式电子产品、LED照明、小型家电和医疗设备等多个领域， 为各种低功率模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。
CSD19538Q3AT-VB特性
暂无产品特性。
CSD19538Q3AT-VB应用领域
暂无应用领域。