CSD19538Q2
IC
可供量大可议
CSD19538Q2
2.5W(Ta)， 20.2W(Tc) 20V 3.8V@ 250µA 5.6nC@ 10 V 1个N沟道 100V 59mΩ@ 5A, 10V 14.4A 454pF@50V WSON-6 贴片安装 800μm(高度)
品牌
TI
封装
库存
2,796
货期
现货
CSD19538Q2参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2796 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 品牌 | TI |
|---|---|
| 批次 | 2547+ |
CSD19538Q2概述
2.5W(Ta)， 20.2W(Tc) 20V 3.8V@ 250µA 5.6nC@ 10 V 1个N沟道 100V 59mΩ@ 5A, 10V 14.4A 454pF@50V WSON-6 贴片安装 800μm(高度)
CSD19538Q2特性
暂无产品特性。
CSD19538Q2应用领域
暂无应用领域。