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CSD19537Q3T
IC

VSONP-8(3.3x3.3)

可供量大可议

CSD19537Q3T

CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

品牌

TI

封装

VSONP-8(3.3x3.3)

库存

530

货期

现货

CSD19537Q3T参数

封装VSONP-8(3.3x3.3)
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存530

CSD19537Q3T概述

CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD19537Q3T特性

暂无产品特性。

CSD19537Q3T应用领域

暂无应用领域。

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