CSD19537Q3T
IC
VSONP-8(3.3x3.3)
可供量大可议
CSD19537Q3T
CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌
TI
封装
VSONP-8(3.3x3.3)
库存
530
货期
现货
CSD19537Q3T参数
| 封装 | VSONP-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 530 |
CSD19537Q3T概述
CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD19537Q3T特性
暂无产品特性。
CSD19537Q3T应用领域
暂无应用领域。
