CSD19536KTT-VB
IC
TO-263
可供量大可议
CSD19536KTT-VB
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 򬓹 𢺫 򏟋 A, RDS(ON), 󗙻 񄂹 򘞟 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 򬓹 Vth(V)封装:TO򘞟 𮧂 򬓹。
品牌
VBsemi
封装
TO-263
库存
5
货期
现货
CSD19536KTT-VB参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 25+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
CSD19536KTT-VB概述
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 򬓹 𢺫 򏟋 A, RDS(ON), 󗙻 񄂹 򘞟 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 򬓹 Vth(V)封装:TO򘞟 𮧂 򬓹。
CSD19536KTT-VB特性
暂无产品特性。
CSD19536KTT-VB应用领域
暂无应用领域。