CSD19533KCS-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、8.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源驱动电压（VGS）。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 配合较高的电流与电压额定值， 适用于高效率电源转换、电机控制及开关电源等场景。 器件在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和开关特性， 适合对功率密度和能效有较高要求的应用。