CSD19506KCS-VB
IC
TO-220
可供量大可议
CSD19506KCS-VB
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 򬓹 󺺆 򏟋 A, RDS(ON), 򘞟 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V), 򬓹 Vth(V), 封装:TO򘞟 򘞟 򏟋 具备低导通损耗、低栅极电荷和高开关速度等优势; 如关节电机驱动、感性负载开关、低压大电流母线配电、PWM风扇驱动等。
品牌
VBsemi
封装
TO-220
库存
50
货期
现货
CSD19506KCS-VB参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 26+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
CSD19506KCS-VB概述
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 򬓹 󺺆 򏟋 A, RDS(ON), 򘞟 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V), 򬓹 Vth(V), 封装:TO򘞟 򘞟 򏟋 具备低导通损耗、低栅极电荷和高开关速度等优势; 如关节电机驱动、感性负载开关、低压大电流母线配电、PWM风扇驱动等。
CSD19506KCS-VB特性
暂无产品特性。
CSD19506KCS-VB应用领域
暂无应用领域。