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CSD19505KCS-VB
IC

TO-220

可供量大可议

CSD19505KCS-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO220; N—Channel沟道, 80V; 195A; RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V; 是一款单N型场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于高功率应用。

品牌

VBsemi

封装

TO-220

库存

29

货期

现货

CSD19505KCS-VB参数

封装TO-220
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存29

CSD19505KCS-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO220; N—Channel沟道, 80V; 195A; RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V; 是一款单N型场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于高功率应用。

CSD19505KCS-VB特性

暂无产品特性。

CSD19505KCS-VB应用领域

暂无应用领域。

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