CSD19503KCS-VB
IC
TO-220
可供量大可议
CSD19503KCS-VB
台积电流片， 长电封测。 N沟道, 򑵼 򏟋 V, 󗙻 򏟋 򏟋 A, RDS(ON), 𛾾 mΩ@󗙻 򏟋 V, 񤗸 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 񄂹 𛾾 Vth(V) 封装：TO򘞟 򘞟 򏟋 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块， 如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
品牌
VBsemi
封装
TO-220
库存
10
货期
现货
CSD19503KCS-VB参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
CSD19503KCS-VB概述
台积电流片， 长电封测。 N沟道, 򑵼 򏟋 V, 󗙻 򏟋 򏟋 A, RDS(ON), 𛾾 mΩ@󗙻 򏟋 V, 񤗸 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 񄂹 𛾾 Vth(V) 封装：TO򘞟 򘞟 򏟋 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块， 如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
CSD19503KCS-VB特性
暂无产品特性。
CSD19503KCS-VB应用领域
暂无应用领域。