CSD19502Q5B-VB
IC
DFN-8
可供量大可议
CSD19502Q5B-VB
台积电流片， 长电封测。 一款单N型沟道MOSFET， 适用于工作在򑵼 򏟋 V的电路中。 其栅极-源极电压范围为±򘞟 򏟋 V， 阈值电压为򬓹 񄂹 𢺫 V。 在VGS=󗙻 򏟋 V时， 漏极-源极电阻为򘞟 񄂹 𮧂 𢺫 mΩ。 最大漏极电流为󗙻 󺺆 򏟋 A。 采用SGT技术， 封装为DFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )。 可用于功率开关模块， 保障电力系统的稳定供电， 确保设备和系统的持续运行。
Brand
VBsemi
Package
DFN-8
Stock
20
货期
现货
CSD19502Q5B-VBParameters
| 封装 | DFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 25+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
CSD19502Q5B-VB概述
台积电流片， 长电封测。 一款单N型沟道MOSFET， 适用于工作在򑵼 򏟋 V的电路中。 其栅极-源极电压范围为±򘞟 򏟋 V， 阈值电压为򬓹 񄂹 𢺫 V。 在VGS=󗙻 򏟋 V时， 漏极-源极电阻为򘞟 񄂹 𮧂 𢺫 mΩ。 最大漏极电流为󗙻 󺺆 򏟋 A。 采用SGT技术， 封装为DFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )。 可用于功率开关模块， 保障电力系统的稳定供电， 确保设备和系统的持续运行。
CSD19502Q5B-VB特性
暂无产品特性。
CSD19502Q5B-VB应用领域
暂无应用领域。