CSD18543Q3AT-VB
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
CSD18543Q3AT-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)； 2个N—Channel沟道, 60V； 15A； RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于需要中等功率场效应管的应用场景， 例如电源模块、驱动模块、LED照明模块和工业控制模块等领域。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(3x3)
库存
8
货期
现货
CSD18543Q3AT-VB参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
CSD18543Q3AT-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)； 2个N—Channel沟道, 60V； 15A； RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于需要中等功率场效应管的应用场景， 例如电源模块、驱动模块、LED照明模块和工业控制模块等领域。
CSD18543Q3AT-VB特性
暂无产品特性。
CSD18543Q3AT-VB应用领域
暂无应用领域。