CSD18543Q3A-VB
IC
DFN-8-EP(3x3)
可供量大可议
CSD18543Q3A-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)； N—Channel沟道； 60V； 30A； RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
DFN-8-EP(3x3)
库存
5
货期
现货
CSD18543Q3A-VB参数
| 封装 | DFN-8-EP(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
CSD18543Q3A-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)； N—Channel沟道； 60V； 30A； RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用Trench技术
CSD18543Q3A-VB特性
暂无产品特性。
CSD18543Q3A-VB应用领域
暂无应用领域。