CSD18540Q5BT-VB
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
CSD18540Q5BT-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 60V； 180A； RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V； 是一款单极性N型沟道场效应， 采用SGT工艺制造， 适用于电源模块、电动汽车驱动器、电池管理系统等领域。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(5x6)
库存
1
货期
现货
CSD18540Q5BT-VB参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
CSD18540Q5BT-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 60V； 180A； RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V； 是一款单极性N型沟道场效应， 采用SGT工艺制造， 适用于电源模块、电动汽车驱动器、电池管理系统等领域。
CSD18540Q5BT-VB特性
暂无产品特性。
CSD18540Q5BT-VB应用领域
暂无应用领域。