CSD18531Q5AT-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.7mΩ。 其极低的导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 适用于高电流、高频率的开关电路， 如电源转换系统、电机驱动模块及大功率电子负载等场景， 在持续大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。