CSD17581Q5A-HXY
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
CSD17581Q5A-HXY
CSD17581Q5A 型号N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装， 小巧轻便， 散热性能佳， 适用于高集成度电路设计。 器件额定电压VDSS为30V， 可承载高达120A的连续电流ID， 展现卓越的功率处理能力。 其突出特点是导通电阻低至3.5mR， 有助于提升系统能效并降低功耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(5x6)
库存
170
货期
现货
CSD17581Q5A-HXY参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 170 |
CSD17581Q5A-HXY概述
CSD17581Q5A 型号N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装， 小巧轻便， 散热性能佳， 适用于高集成度电路设计。 器件额定电压VDSS为30V， 可承载高达120A的连续电流ID， 展现卓越的功率处理能力。 其突出特点是导通电阻低至3.5mR， 有助于提升系统能效并降低功耗。
CSD17581Q5A-HXY特性
暂无产品特性。
CSD17581Q5A-HXY应用领域
暂无应用领域。