QFN-8
CSD17581Q3AT-VB
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 𮧂 򏟋 A, RDS(ON), 򬓹 񄂹 񤗸 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:QFN򑵼 (򬓹 X򬓹 )适用于对高效率、大电流、小体积和高热性能有严格要求的场景; 如智能插座中的电能控制与监测, 电机驱动的H桥低侧开关, AI存储系统的板载电源分配, 高性能DC-DC同步整流等。
品牌
VBsemi
封装
QFN-8
库存
10
货期
现货
CSD17581Q3AT-VB参数
| 封装 | QFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
CSD17581Q3AT-VB概述
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 𮧂 򏟋 A, RDS(ON), 򬓹 񄂹 񤗸 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:QFN򑵼 (򬓹 X򬓹 )适用于对高效率、大电流、小体积和高热性能有严格要求的场景; 如智能插座中的电能控制与监测, 电机驱动的H桥低侧开关, AI存储系统的板载电源分配, 高性能DC-DC同步整流等。
CSD17581Q3AT-VB特性
暂无产品特性。
CSD17581Q3AT-VB应用领域
暂无应用领域。