CSD17579Q3A-VB
IC
DFN3x3-8
可供量大可议
CSD17579Q3A-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于电源模块、电动车电机控制器、光伏逆变器等领域。 DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 30V； 30A； RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
Brand
VBsemi
Package
DFN3x3-8
Stock
765
货期
现货
CSD17579Q3A-VBParameters
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 765 |
CSD17579Q3A-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于电源模块、电动车电机控制器、光伏逆变器等领域。 DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 30V； 30A； RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
CSD17579Q3A-VB特性
暂无产品特性。
CSD17579Q3A-VB应用领域
暂无应用领域。