CSD17578Q3A
自营可供
IC
VSONP-8(3.3x3.3)
CSD17578Q3A
场效应管(MOSFET) 3.2W 30V 20A 1个N沟道
品牌
TI
封装
VSONP-8(3.3x3.3)
交期
现货
批次
两年内
CSD17578Q3A参数
| 封装 | VSONP-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 输入电容(Ciss) | 1.59nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 134pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8,076 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.2nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF |
| 类型 | N沟道 |
CSD17578Q3A概述
场效应管(MOSFET) 3.2W 30V 20A 1个N沟道