CSD17578Q3A-HXY

CSD17578Q3A N沟道MOSFET采用先进的DFN3X3-8L封装技术， 实现小型化与高效散热的完美结合。 该器件性能卓越， 具有30V的最大漏源电压(VDSS)， 支持高达60A的连续工作电流， 其导通电阻(RD(on))低至6mΩ， 确保了出色的能效比和低功耗表现。 广泛应用在电源转换、电池管理系统、电机驱动等领域， 是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。