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CSD17577Q3A-HXY
IC

DFN-8(3x3)

可供量大可议

CSD17577Q3A-HXY

CSD17577Q3A 是一款N沟道MOSFET, 采用先进的DFN3X3-8L封装技术, 专为高功率密度和低功耗应用设计。 该器件在30V电压VDSS下稳定工作, 能处理高达100A的连续电流, 彰显强大电力传输性能。 其亮点在于业界领先的4mR超低导通电阻RD(on), 有效减少功率损耗, 提升整体系统效率。 CSD17577Q3A 广泛应用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高性能MOSFET的场合, 是您构建高效节能电路的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8(3x3)

库存

94

货期

现货

CSD17577Q3A-HXY参数

封装DFN-8(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存94

CSD17577Q3A-HXY概述

CSD17577Q3A 是一款N沟道MOSFET, 采用先进的DFN3X3-8L封装技术, 专为高功率密度和低功耗应用设计。 该器件在30V电压VDSS下稳定工作, 能处理高达100A的连续电流, 彰显强大电力传输性能。 其亮点在于业界领先的4mR超低导通电阻RD(on), 有效减少功率损耗, 提升整体系统效率。 CSD17577Q3A 广泛应用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高性能MOSFET的场合, 是您构建高效节能电路的理想选择。

CSD17577Q3A-HXY特性

暂无产品特性。

CSD17577Q3A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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