CSD17577Q3A-HXY
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
CSD17577Q3A-HXY
CSD17577Q3A 是一款N沟道MOSFET, 采用先进的DFN3X3-8L封装技术, 专为高功率密度和低功耗应用设计。 该器件在30V电压VDSS下稳定工作, 能处理高达100A的连续电流, 彰显强大电力传输性能。 其亮点在于业界领先的4mR超低导通电阻RD(on), 有效减少功率损耗, 提升整体系统效率。 CSD17577Q3A 广泛应用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高性能MOSFET的场合, 是您构建高效节能电路的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(3x3)
库存
94
货期
现货
CSD17577Q3A-HXY参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 94 |
CSD17577Q3A-HXY概述
CSD17577Q3A 是一款N沟道MOSFET, 采用先进的DFN3X3-8L封装技术, 专为高功率密度和低功耗应用设计。 该器件在30V电压VDSS下稳定工作, 能处理高达100A的连续电流, 彰显强大电力传输性能。 其亮点在于业界领先的4mR超低导通电阻RD(on), 有效减少功率损耗, 提升整体系统效率。 CSD17577Q3A 广泛应用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高性能MOSFET的场合, 是您构建高效节能电路的理想选择。
CSD17577Q3A-HXY特性
暂无产品特性。
CSD17577Q3A-HXY应用领域
暂无应用领域。
