CSD17576Q5B-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
CSD17576Q5B-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 30V； 128A； RDS(ON)=1.2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V； 是一款单体N型场效应管， 采用Trench技术， 适用于高功率和高电流的应用场景。
品牌
VBsemi
封装
DFN5x6-8
库存
10
货期
现货
CSD17576Q5B-VB参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
CSD17576Q5B-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 30V； 128A； RDS(ON)=1.2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V； 是一款单体N型场效应管， 采用Trench技术， 适用于高功率和高电流的应用场景。
CSD17576Q5B-VB特性
暂无产品特性。
CSD17576Q5B-VB应用领域
暂无应用领域。